Fallstudie 10: Infineon Technologies AG – Global Executive Search für die Leitung der Siliziumkarbid-Forschung (SiC)
Die globale Halbleiter-Krise und der Wettlauf um Effizienz
Infineon Technologies ist der weltweit führende Anbieter von Leistungshalbleitern. In einer Zeit, in der die Elektromobilität und erneuerbare Energien massiv expandieren, ist die Effizienz der Energieumwandlung der entscheidende Wettbewerbsfaktor. Das herkömmliche Silizium stößt hierbei an seine physikalischen Grenzen. Die Zukunft gehört dem Siliziumkarbid (SiC), einem Material, das höhere Spannungen verträgt und deutlich weniger Hitze entwickelt. Für Infineon war es strategisch überlebenswichtig, die technologische Marktführerschaft bei SiC-Halbleitern nicht nur zu halten, sondern auszubauen. Hierfür wurde die Position des Head of Global SiC Research & Development neu besetzt. Die Herausforderung: Es gibt weltweit nur eine sehr begrenzte Anzahl an Experten, die sowohl die Materialwissenschaft als auch die industrielle Massenfertigung dieser komplexen Wafer beherrschen.
Das Anforderungsprofil: Ein Pionier der Halbleiter-Physik
Das gesuchte Profil erforderte eine Kombination aus akademischer Brillanz und industrieller Umsetzungskraft. Der ideale Kandidat musste über eine Promotion in Physik oder Elektrotechnik verfügen und mindestens 15 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von Wide-Bandgap-Halbleitern vorweisen können. Neben der technischen Expertise war die „Authoritativeness“ entscheidend: Der Kandidat sollte ein international anerkannter Vordenker sein, der Patente hält und in der Lage ist, die Forschungsstandorte in Villach, München und Kulim (Malaysia) zu synchronisieren. Da die Produktion von SiC-Wafern extrem fehleranfällig ist, war zudem eine „Experience“ in der Ausbeute-Optimierung (Yield-Management) unter Realbedingungen zwingend erforderlich.
Strategisches Headhunting: Eine weltweite Suche in der Forschungs-Elite
Unsere Suche als Headhunter erstreckte sich über die gesamte globale Halbleiter-Landschaft. Wir identifizierten Zielkandidaten bei Wettbewerbern in den USA und Japan sowie an führenden Forschungsinstituten wie dem Fraunhofer-Institut oder spezialisierten Fakultäten in Taiwan. Die Schwierigkeit bestand darin, dass diese Experten oft in langfristige, hochdotierte Forschungsprojekte eingebunden sind. Wir führten ein diskretes Mapping der „Hidden Champions“ in der Halbleiter-Zulieferindustrie durch – Experten, die bisher im Hintergrund die Maschinen für die SiC-Epitaxie entwickelt hatten. In persönlichen Gesprächen positionierten wir Infineon als den Ort, an dem die Theorie des Siliziumkarbids die größte industrielle Hebelwirkung für die globale Energiewende entfalten kann.
Der Auswahlprozess: Peer-to-Peer Review auf höchstem Niveau
Aufgrund der extremen fachlichen Tiefe organisierten wir einen Auswahlprozess, der einem wissenschaftlichen Kolloquium glich. Die Kandidaten mussten ihre Vision für die nächste Generation von „Trench-MOSFET“-Strukturen vor einem Gremium aus den ranghöchsten Ingenieuren von Infineon präsentieren. Dabei prüften wir nicht nur die wissenschaftliche Tiefe, sondern auch die unternehmerische Reife: Kann der Kandidat die enormen Forschungsbudgets so steuern, dass sie in marktfähige Produkte münden? Der gewählte Kandidat war ein renommierter Wissenschaftler, der zuvor bei einem US-Halbleiterkonzern maßgeblich an der Entwicklung von SiC-Invertern für die Luft- und Raumfahrt beteiligt war. Er überzeugte durch seine Fähigkeit, physikalische Grenzen neu zu denken und gleichzeitig die Fertigungskosten im Blick zu behalten.
Die Integrationsphase: Aufbau eines globalen Kompetenzzentrums
Nach der erfolgreichen Vermittlung unterstützten wir den neuen Forschungsleiter beim Aufbau eines interdisziplinären „SiC-Task-Teams“. Wir moderierten den Austausch zwischen der Grundlagenforschung in Europa und den Fertigungsexperten in Asien. Ein kritischer Faktor war die kulturelle Integration: Der neue Leiter musste die eher akademisch geprägte Forschungsabteilung mit der taktgetriebenen Produktionswelt versöhnen. Wir begleiteten ihn dabei, strategische Allianzen mit Rohmaterial-Lieferanten zu schließen, um die Versorgungssicherheit für die neue Technologie zu gewährleisten. Dieser proaktive Onboarding-Ansatz stellte sicher, dass die neue Forschungsstrategie innerhalb weniger Monate voll operativ war.
Ergebnisse: Technologischer Vorsprung bei der Mobilität der Zukunft
Zwei Jahre nach dieser Schlüsselbesetzung hat Infineon seine Kapazitäten im Bereich Siliziumkarbid vervielfacht und hält heute den größten Marktanteil bei SiC-Leistungshalbleitern für die Automobilindustrie. Die von uns vermittelte Führungskraft trieb die Entwicklung neuer Chip-Generationen voran, die die Reichweite von Elektroautos um bis zu 10 % steigern können, ohne die Batteriekapazität zu erhöhen. Dies führte zum Abschluss exklusiver Lieferverträge mit fast allen führenden E-Auto-Herstellern weltweit. Die Fallstudie Infineon verdeutlicht, dass im Halbleitersektor der Zugriff auf die klügsten Köpfe der Physik direkt über die ökonomische Dominanz in den Märkten von morgen entscheidet.
